IRFH7084TRPBF vs IRFR4615TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH7084TRPBF par Infineon et IRFR4615TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH7084TRPBF IRFR4615TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,39
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C
Boîtier 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant —
Sans halogène Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Énergie d'avalanche à impulsion unique — 109 mJ

Fiches techniques et ressources

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