IRFH7084TRPBF vs IRFR4615TRLPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFH7084TRPBF por Infineon e IRFR4615TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFH7084TRPBF | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,45 | $0,39 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET™ (trench MOSFET) | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) | 100 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 265 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 156 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.25 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 0.95 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) max @ 25V | 6560 pF | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +175C |
| Encapsulamento | 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Livre de halogênio | Compliant | — |
| RthJC max | 0.96 °C/W (per datasheet) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 144 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Energia de avalanche de pulso único | — | 109 mJ |