IRFH7440TRPBF vs BSC050N04LSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFH7440TRPBF par Infineon et BSC050N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFH7440TRPBF | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,41 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 85 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) | 2.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 92 nC | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 104 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Technology | StrongIRFET™ (HEXFET) | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Boîtier | 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Optimization | 10V (Normal Level), switching < 100 kHz | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL 1 | — |
| Typical Applications | Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 |