IRFH7440TRPBF vs BSC050N04LSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFH7440TRPBF от Infineon и BSC050N04LSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF - 40V StrongIRFET N-MOSFET, 85A, 2.4mΩ | Infineon

IRFH7440TRPBF - 40V StrongIRFET N-MOSFET, 85A, 2.4mΩ | Infineon

IRFH7440TRPBF ✓ Активен
Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFH7440TRPBF BSC050N04LSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,78 $0,41
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 2.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 92 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 104 W —
Рабочая температура перехода -55°C to +150°C —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Корпус 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Optimization 10V (Normal Level), switching < 100 kHz —
Qualification JEDEC standard —
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 —
Typical Applications Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)
Статус RoHS — Compliant
Уровень MSL — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену