IRFH8201TRPBF vs IRLH5030TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH8201TRPBF par Infineon et IRLH5030TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH8201TRPBF IRLH5030TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $1,15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A —
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V 44 nC
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLH5030TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

Fiches techniques et ressources

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