IRFH8201TRPBF vs IRLH5030TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH8201TRPBF por Infineon e IRLH5030TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH8201TRPBF IRLH5030TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $1,15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A —
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V 44 nC
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Encapsulamento SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLH5030TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

Fichas técnicas e recursos

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