IRFP250MPBF vs IRF150P220AKMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFP250MPBF par Infineon et IRF150P220AKMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,55 $3,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W 556 W
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier / Format TO-247AC (3-pin + tab) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Nombre de broches 3 —
Avalanche Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Boîtier — TO-247-3 (PG-TO247-3)
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3

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