IRFP250MPBF vs IRF150P220AKMA1 比較

詳細な並列比較: IRFP250MPBF メーカー: Infineon および IRF150P220AKMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.55 $3.55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP250MPBF IRF150P220AKMA1
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W 556 W
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ / ケース TO-247AC (3-pin + tab) —
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 —
Avalanche Rated Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSLレベル 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
動作温度範囲 — -55C to +175C
パッケージ — TO-247-3 (PG-TO247-3)
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼