IRFP2907PBF vs IRF7769L1TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFP2907PBF par Infineon et IRF7769L1TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFP2907PBF IRF7769L1TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,45 $1,72
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP2907PBF —
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) Compliant
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — 100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
Continuous Drain Current (TA=25C) — 20 A
Continuous Drain Current (TC=25C) — 124 A
Courant de drain pulsé — 142 A
Power Dissipation (TA=25C) — 3.3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 125 W
RDS(on) max at VGS=10V — 3.5 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — 200 nC
Boîtier — DirectFET Isometric L8
Package Profile — 0.7 mm
Type de montage — Surface Mount
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ)
Niveau MSL — 1
Lead-Free Reflow — 260C qualified
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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