IRFP3710PBF vs IRFB4110PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFP3710PBF par Infineon et IRFB4110PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFP3710PBF IRFB4110PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,86 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Series HEXFET, Fifth Generation —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 57 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 200 W (Tc) —
On-Resistance RDS(on) Max 25 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge (Qg) Typical 66.7 nC —
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (Tj) —
Boîtier TO-247AC (3-pin + tab) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Avalanche Rating Fully Avalanche Rated —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt Rated —
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (planar DMOS)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C

Fiches techniques et ressources

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