IRFP3710PBF vs IRFB4110PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFP3710PBF por Infineon e IRFB4110PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFP3710PBF IRFB4110PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,86 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Series HEXFET, Fifth Generation —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 57 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 200 W (Tc) —
On-Resistance RDS(on) Max 25 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge (Qg) Typical 66.7 nC —
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (Tj) —
Encapsulamento TO-247AC (3-pin + tab) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Avalanche Rating Fully Avalanche Rated —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt Rated —
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (planar DMOS)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C

Fichas técnicas e recursos

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