IRFR1205TRPBF vs IRFR5410TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR1205TRPBF par Infineon et IRFR5410TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR1205TRPBF | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,49 | $0,71 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |