IRFR1205TRPBF vs IRFR5410TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR1205TRPBF 제조: Infineon 및 IRFR5410TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR1205TRPBF IRFR5410TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.49 $0.71
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (advanced process, Gen 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC —
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
동작 온도 범위 — -55 °C to +150 °C (TJ)
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

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