IRFR1205TRPBF vs IRFR5410TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR1205TRPBF por Infineon e IRFR5410TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR1205TRPBF | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,49 | $0,71 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |