IRFR120NTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR120NTRLPBF par Infineon et IRL540NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR120NTRLPBF | IRL540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,51 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | Logic-level |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 210 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | 49.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully avalanche rated) | Yes (single-pulse) |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-263 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 36 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | — | 44 mΩ |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 140 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |