IRFR220NTRPBF vs IRFR1205TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR220NTRPBF par Infineon et IRFR1205TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR220NTRPBF IRFR1205TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $0,49
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V min, 4 V max
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) 43.3 nC
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +175C
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) —
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

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