IRFR220NTRPBF vs IRFR1205TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR220NTRPBF メーカー: Infineon および IRFR1205TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR220NTRPBF IRFR1205TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.22 $0.49
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V min, 4 V max
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) 43.3 nC
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
動作接合温度 -55°C to +150°C -55C to +175C
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) —
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

データシート&リソース

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