IRFR220NTRPBF vs IRFR1205TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR220NTRPBF por Infineon e IRFR1205TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR220NTRPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,22 | $0,49 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 160 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V min, 4 V max |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | 600 milliohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC (typical per Mouser listing) | 43.3 nC |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | 43 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55°C to +150°C | -55C to +175C |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | — |
| Status RoHS | Compliant (PBF suffix) | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully characterized) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 44 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |