IRFR2405TRPBF vs IRFR220NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR2405TRPBF par Infineon et IRFR220NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR2405TRPBF IRFR220NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) + Tab 3 (Gate, Drain, Source) plus tab
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
Sans halogène [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Boîtier / Format — TO-252AA (DPAK)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)

Fiches techniques et ressources

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