IRFR2405TRPBF vs IRFR220NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR2405TRPBF от Infineon и IRFR220NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR220NPBF IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR2405TRPBF IRFR220NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,61 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) + Tab 3 (Gate, Drain, Source) plus tab
Уровень MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
Без галогенов [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Корпус / Типоразмер — TO-252AA (DPAK)
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену