IRFR2405TRPBF vs IRFR220NTRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR2405TRPBF par Infineon et IRFR220NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR2405TRPBF | IRFR220NTRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $0,22 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 16 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 70 nC | 15 nC (typical per Mouser listing) |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55°C to +150°C |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free PBF suffix) | Compliant (PBF suffix) |
| Sans halogène | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | — | 600 milliohm |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 43 W |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (fully characterized) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) |