IRFR3710ZTRLPBF vs IRFL024ZTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3710ZTRLPBF par Infineon et IRFL024ZTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3710ZTRLPBF IRFL024ZTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,26
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Boîtier TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) SOT-223
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
Température de fonctionnement -55 C to +175 C (TJ) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 57.5 mOhm
Gate Charge (Qg) Typ — 9.1 nC
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 1 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Nombre de broches — 3 (+ drain tab)
Niveau MSL — 1
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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