IRFR3710ZTRLPBF vs IRFL024ZTRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR3710ZTRLPBF 제조: Infineon 및 IRFL024ZTRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRFR3710ZTRLPBF IRFL024ZTRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.58 $0.26
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
패키지 TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) SOT-223
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
동작 온도 -55 C to +175 C (TJ) —
RoHS 상태 Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 57.5 mOhm
Gate Charge (Qg) Typ — 9.1 nC
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 1 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C
핀 수 — 3 (+ drain tab)
MSL 레벨 — 1
Lead-Free — Yes

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