IRFR3710ZTRLPBF vs IRFL024ZTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3710ZTRLPBF por Infineon e IRFL024ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3710ZTRLPBF IRFL024ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,26
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) SOT-223
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
Temperatura de operação -55 C to +175 C (TJ) —
Status RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 57.5 mOhm
Gate Charge (Qg) Typ — 9.1 nC
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 1 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Contagem de pinos — 3 (+ drain tab)
Nível MSL — 1
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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