IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR024NTRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3710ZTRLPBF par Infineon et IRFR024NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR3710ZTRLPBF | IRFR024NTRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,58 | $0,31 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), HEXFET | — |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) | 42 A | — |
| Max Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | [DATA_NEEDED: Vgs max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 69 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 140 W | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | 150 mJ | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per Lisleapex listing) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Température de fonctionnement | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Series | — | HEXFET Power MOSFET (5th generation) |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 17 A (at TC = 25 C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 60 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | 13.3 nC |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 45 W (at TC = 25 C) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Packaging | — | Tape and Reel (TR) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free / PbF terminations) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |