IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR024NTRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR3710ZTRLPBF от Infineon и IRFR024NTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR024NTRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR3710ZTRLPBF IRFR024NTRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,58 $0,31
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET —
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Корпус TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
Рабочая температура -55 C to +175 C (TJ) —
Статус RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (at TC = 25 C)
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)
Уровень MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену