IRFR3710ZTRPBF vs IRFR6215TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3710ZTRPBF par Infineon et IRFR6215TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR3710ZTRPBF | IRFR6215TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,38 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | -150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -13 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 580 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 44 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |
| Niveau MSL | — | 1 |