IRFR3710ZTRPBF vs IRFR6215TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR3710ZTRPBF メーカー: Infineon および IRFR6215TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR3710ZTRPBF IRFR6215TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $0.38
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
パッケージ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
MSLレベル — 1

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