IRFR5305TRLPBF vs IRFU5305PBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5305TRLPBF par Infineon et IRFU5305PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR5305TRLPBF | IRFU5305PBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,68 |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | -110 A (pulsed) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=-5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), surface mount | IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET fifth-generation planar MOSFET | — |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | Yes (EAS rated) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free, suffix "PBF") | — |
| Tape & Reel Orientation | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | -31 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 65 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 42 nC (typical) |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 110 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.36 °C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | — | 62 °C/W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |