IRFR5305TRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5305TRPBF par Infineon et BSC060P03NS3EGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5305TRPBF BSC060P03NS3EGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,38
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55°C to +150°C
Boîtier TO-252AA (DPAK) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) OptiMOS™ P-channel Trench
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (Ta) — 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 83 W

Fiches techniques et ressources

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