IRFR5305TRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR5305TRPBF por Infineon e BSC060P03NS3EGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR5305TRPBF BSC060P03NS3EGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,38
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55°C to +150°C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) OptiMOS™ P-channel Trench
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (Ta) — 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 83 W

Fichas técnicas e recursos

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