IRFR5305TRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFR5305TRPBF 제조: Infineon 및 BSC060P03NS3EGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFR5305TRPBF | BSC060P03NS3EGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.32 | $0.38 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | -55°C to +150°C |
| 패키지 | TO-252AA (DPAK) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | OptiMOS™ P-channel Trench |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 17.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | -2.5 V |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | — | 81 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.02 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 2.81 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 220 pF |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |