IRFR5505TRLPBF vs IRFR9024NTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5505TRLPBF par Infineon et IRFR9024NTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR5505TRLPBF | IRFR9024NTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,32 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | Enhancement |
| VDS (Drain-Source Voltage) | -55 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -18 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 110 mOhm (VGS = -10 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) | 57 W (Tc = 25 °C) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: RθJC] | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) | HEXFET (Generation 5) |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), surface mount | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | Yes (LPBF suffix) |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -11 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 175 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 38 W |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 12.7 nC |
| Package Type | — | TO-252AA (DPAK) |
| Nombre de broches | — | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) |
| Reel Orientation | — | Left (TRL suffix) |