IRFR5505TRPBF vs IRFR9024NTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5505TRPBF par Infineon et IRFR9024NTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5505TRPBF IRFR9024NTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Series HEXFET —
Polarity P-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET 5th generation) HEXFET (Generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -18 A -11 A
Pulsed Drain Current (IDM) -72 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V +/-20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 110 mOhm 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 57 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 2.2 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
Nombre de broches — 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (LPBF suffix)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

Fiches techniques et ressources

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