IRFR5505TRPBF vs IRFR9024NTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR5505TRPBF メーカー: Infineon および IRFR9024NTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ 生産中
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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR5505TRPBF IRFR9024NTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.32
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Series HEXFET —
Polarity P-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET 5th generation) HEXFET (Generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -18 A -11 A
Pulsed Drain Current (IDM) -72 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V +/-20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 110 mOhm 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 57 W —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 2.2 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) —
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
ピン数 — 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
動作温度範囲 — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (LPBF suffix)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

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