IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR9024NTRLPBF par Infineon et IRF7205TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR9024NTRLPBF IRF7205TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,18
Polarity P-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR HEXFET (4th generation)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 2.5 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Boîtier — SO-8 (8-SO)
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

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