IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR9024NTRLPBF por Infineon e IRF7205TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR9024NTRLPBF IRF7205TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,18
Polarity P-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR HEXFET (4th generation)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Dissipação de potência (TC=25°C) — 2.5 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +150 °C
Encapsulamento — SO-8 (8-SO)
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Fichas técnicas e recursos

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