IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR9024NTRLPBF от Infineon и IRF7205TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR9024NTRLPBF IRF7205TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,32 $0,18
Polarity P-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR HEXFET (4th generation)
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) — 2.5 W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +150 °C
Корпус — SO-8 (8-SO)
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену