IRFR9120NTRLPBF vs IRFR120NTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR9120NTRLPBF par Infineon et IRFR120NTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR9120NTRLPBF | IRFR120NTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $0,62 |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -6.6 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 480 mOhm max @ VGS = -10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) | 40 W (Tc) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (Tj) | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | IR MOSFET (planar) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 9.4 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 210 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 48 W |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (Pb-free) |