IRFZ24NPBF vs IRFR220NPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ24NPBF par Infineon et IRFR220NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFZ24NPBF | IRFR220NPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,46 | $0,74 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 17 A | 5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ± 20 V | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 70 mOhm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 45 W | 43 W |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-220AB (through hole) | — |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | HEXFET planar cell | HEXFET (Planar) |
| Switching Frequency Range | Optimized for < 100 kHz | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.6 ohm at VGS = 10 V |
| Boîtier / Format | — | TO-252AA (DPAK) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, lead-free (PBF suffix) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet characterization) |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |