IRFZ44NPBF vs IRF5210PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ44NPBF par Infineon et IRF5210PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ44NPBF IRF5210PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,82
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 120 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-220AB (3-pin + tab) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Fifth Generation)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Statut RoHS Compliant —
Type de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — -40 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — -2 V to -4 V (typical -2 V)
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 60 milliohms
Power Dissipation (Pd) at Tc — 200 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Tab Connection — Electrically tied to Drain
Pin Configuration — Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view)

Fiches techniques et ressources

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