IRFZ44NPBF vs IRF5210PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ44NPBF por Infineon e IRF5210PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ44NPBF IRF5210PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,82
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 120 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB (3-pin + tab) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Fifth Generation)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Status RoHS Compliant —
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — -40 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — -2 V to -4 V (typical -2 V)
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 60 milliohms
Power Dissipation (Pd) at Tc — 200 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Tab Connection — Electrically tied to Drain
Pin Configuration — Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view)

Fichas técnicas e recursos

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