IRFZ48NPBF vs IRF640NPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ48NPBF par Infineon et IRF640NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFZ48NPBF | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,88 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 64 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 14 mΩ (maximum) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 54 nC | 44.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC | 130 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Boîtier | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Technology | HEXFET (advanced planar) | HEXFET (5th Generation) |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Qualification Standard | Industrial market | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| Type de transistor | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |