IRFZ48NSTRLPBF vs IRF640NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ48NSTRLPBF par Infineon et IRF640NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ48NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,89
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 44.7 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Fiches techniques et ressources

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