IRFZ48NSTRLPBF vs IRF640NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ48NSTRLPBF por Infineon e IRF640NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ48NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $0,89
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 44.7 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
Status RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Faixa de temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Fichas técnicas e recursos

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