IRL40S212ARMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRL40S212ARMA1 par Infineon et BSC117N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRL40S212ARMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,31 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | StrongIRFET™ | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 1.9 mOhm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 231 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj max] | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | OptiMOS 5 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |