IRL540NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRL540NSTRLPBF par Infineon et IRF540NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRL540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,74
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C -55 C to +175 C
Boîtier TO-263 (D2PAK) D2PAK (TO-263), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) Yes (HEXFET ruggedized)
Statut RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant (Pb-free)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)

Fiches techniques et ressources

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