IRL540NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRL540NSTRLPBF por Infineon e IRF540NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRL540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $0,74
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C -55 C to +175 C
Encapsulamento TO-263 (D2PAK) D2PAK (TO-263), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) Yes (HEXFET ruggedized)
Status RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant (Pb-free)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)

Fichas técnicas e recursos

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