IRLB4132PBF vs IRF3205ZSTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLB4132PBF par Infineon et IRF3205ZSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLB4132PBF | IRF3205ZSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 78 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 140 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) | 3.5 mOhm (typical) | — |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) | 1.0 V to 2.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typical) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier / Format | TO-220AB (through-hole, 3 leads) | — |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free PBF suffix) | — |
| AEC-Q101 Automotive Qualification | Not qualified (industrial/commercial) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | HEXFET (IR MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 110 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 76 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Boîtier | — | D2PAK (TO-263) |
| Packaging | — | Tape & Reel (left reel) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Body Diode | — | Avalanche-rated intrinsic |