IRLB8748PBF vs BSC034N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLB8748PBF par Infineon et BSC034N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLB8748PBF BSC034N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +150C
Package Type TO-220AB through-hole —
Type de montage Through Hole Surface Mount
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
Technology — OptiMOS 5
Boîtier — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

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